5G et au-delà : La photodiode à haute vitesse KP-H dotée d’une puce-sur-porteur à lentille intégrée de Kyoto Semiconductor atteint une bande passante de 40 GHz

La production de masse de la photodiode KP-H KPDEH12L-CC1C dotée d’une vitesse de transmission de 400 Gb/s débutera en novembre 2020

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (basée à Kyoto, au Japon) a développé la photodiode à haute vitesse KP-H KPDEH12L-CC1C pour soutenir les systèmes de transmission de 400 Gb/s qui utilisent PAM4 (Pulse Amplitude Modulation 4) au sein et entre les centres de données. Grâce au lancement de cette photodiode InGaAs, la société prend en charge de manière continue les besoins en vitesses et capacités accrues des systèmes de transmission dans les réseaux 5G et au-delà. La production de masse commencera en novembre 2020.

Principales caractéristiques de la photodiode KP-H KPDEH12L-CC1C

(1) Haute vitesse
La taille du porteur sur lequel la photodiode est montée ainsi que la largeur et la longueur du modèle d’électrode à haute fréquence placé sur le porteur sont optimisées en utilisant une simulation électromagnétique (Note 2). Par conséquent, nous atteignons une vitesse de premier rang mondial de 400 Gb/s et une bande de fréquences de 40 GHz, grâce à un amplificateur de transimpédance intégré. La photodiode KP-H a réussi le test Telcordia GR-468-Core, qui constitue le test de fiabilité standard en matière d’équipements de communication.

(2) Mise en place facile
La photodiode KPDEH12L-CC1C est montée sur un porteur qui a été conçu de manière optimale pour atteindre une fréquence élevée. Une lentille de condenseur est intégré à l’arrière de la photodiode (Note 3), ce qui permet à la lumière entrante de s’accumuler dans la zone d’absorption de la lumière, et facilite l’alignement de la fibre optique avec la photodiode. La puce de la photodiode est montée sur un porteur deux fois plus gros que la puce.

Contexte de développement
Actuellement, nous avons atteint principalement des vitesses de transmission de 100 Gb/s en couplant 4 lignes de 25 Gb/s. Néanmoins, il existe une demande croissante sur le marché de vitesses de transmission comprises entre 400 Gb/s et 800 Gb/s. L’Institut des ingénieurs en électricité et en électronique (IEEE) a établi la norme PAM4, qui correspond à une modulation avec un signal 4 bits. La vitesse de transmission par photodiode atteint 50 Gb/s (=400 Gb/s/4 lignes/2 (PAM4)). La bande de transmission nécessaire pour que la photodiode puisse atteindre cette vitesse sera comprise entre 35 et 40 GHz.

Pour en savoir plus, rendez-vous ici. https://www.kyosemi.co.jp/en/lp/kpdeh12l-cc1c

À propos de Kyoto Semiconductor
Kyoto Semiconductor a été créé en 1980 à Kyoto, en tant que fabricant spécialisé en semiconducteurs. Les semiconducteurs fabriqués offrent des performances et une précision hors du commun, parfaites pour une utilisation en transmission optique. Ils sont fabriqués de bout en bout, pré et post processus inclus, avec la technologie de packaging unique de Kyoto Semiconductor, dans nos locaux au Japon, pour être expédiés à nos clients du monde entier. Kyoto Semiconductor est à la tête de l’industrie, grâce à des technologies de standard mondial pour les solutions de dispositifs optiques, basées sur la qualité japonaise et l’attention au détail au cours de la production.

Notes
1) Méthode de modulation à 4 niveaux 8PAM 4 (Pulse Amplitude Modulation 4)
Au lieu d’élaborer des informations à 2 bits {0, 1} pour une modulation, la méthode élabore des informations à 4 bits {0, 1, 2, 3}. Cette méthode permet la transmission de deux fois plus d’informations que la méthode conventionnelle.
2) Porteur
Les structures avec une faible atténuation de la haute fréquence sont conçues à la surface du panneau sur lequel est montée la photodiode. Les dimensions du porteur sont les suivantes : 0,6 x 0,48 x 0,25 ^t mm.
3) Lentille de condenseur
L’illustration présente une vue schématique de la puce de la photodiode. Une lentille de condenseur est intégrée à la surface sur laquelle pénètre la lumière, et elle est concentrée et recueillie sur une petite couche d’absorption de lumière.

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